Карбид-диоды Шоттки на напряжение 650 В повышают эффективность и надежность...

Vishay Intertechnology представила 17 новых карбидокремниевых (SiC) диодов Шоттки третьего поколения на напряжение 650 В. Благодаря объединенной конструкции PIN-Шоттки (MPS) устройства Vishay Semiconductors сочетают в себе устойчивость к высоким импульсным токам с низким прямым падением напряжения, емкостным зарядом и обратным током утечки для повышения эффективности и надежности в схемах импульсного питания.

Выпущенные SiC-диоды следующего поколения состоят из устройств с током от 4 до 40 А в корпусах для сквозного монтажа TO-22OAC 2L и TO-247AD 3L, а также в корпусах для поверхностного монтажа D²PAK 2L (TO-263AB 2L). Их структура MPS снижает прямое падение напряжения на 0,3 В по сравнению с решениями предыдущего поколения, а время падения прямого напряжения емкостного заряда — ключевого показателя эффективности (FOM) для энергоэффективности — на 17 % ниже.

Типичный обратный ток утечки диодов на 30 % ниже при комнатной температуре и на 70 % ниже при высокой температуре, чем у ближайшего конкурирующего решения. Это снижает потери проводимости и обеспечивает высокую эффективность системы при небольших нагрузках и на холостом ходу. В отличие от сверхбыстрых диодов, устройства третьего поколения практически не имеют хвоста восстановления, что еще больше повышает эффективность.

По сравнению с кремниевыми диодами с сопоставимыми напряжениями пробоя, устройства SiC обеспечивают более высокую теплопроводность, меньший обратный ток и более короткое время обратного восстановления. Время обратного восстановления диодов практически не зависит от температуры, что позволяет работать при более высоких температурах до +175 °C без изменений в энергоэффективности, вызванных потерями переключения.

Типичные области применения устройств включают в себя корректировку выходного напряжения переменного/постоянного тока и сверхвысокочастотное выпрямление постоянного/постоянного тока в преобразователях FBPS и LLC для выработки энергии и геологоразведочных работ. Обладая высокой надежностью, безгалогенные диоды, соответствующие требованиям RoHS, прошли испытания на обратное смещение при высоких температурах (HTRB) в течение 2000 часов и циклические испытания в течение 2000 термических циклов. Это вдвое больше часов и циклов тестирования, чем требуется в соответствии с требованиями AEC-Q101.